近日，上海凯来仪器有限公司全自研生产制造的半导体晶圆污染分析系统获得头部晶圆生产企业首个订单。这一突破标志着凯来仪器在半导体晶圆污染检测领域完成从技术验证到产业化落地的关键一步，也为先进制程下的晶圆金属污染分析提供了新的技术路径。

 

直击行业痛点

随着半导体制程进入 5nm 及以下节点，晶圆制造对金属污染物的管控要求日趋严苛，表面金属杂质容忍度已下降至10⁸～10⁹atoms/cm² 量级。与此同时，半导体材料体系快速多元化发展，检测对象由传统硅基晶圆拓展至SiC、GaN、金刚石等宽禁带/超宽禁带半导体衬底。针对大硅片开发的 VPD-ICP-MS 等传统湿化学前处理方法，受限于基体兼容性，难以适配宽禁带新材料的杂质表征需求，原有检测手段 “失能”。产业需求也从单纯的表面污染筛查，升级为同步获取杂质空间分布、体相掺杂均匀性等多维信息，传统VPD-ICP-MS、SIMS、TXRF、GD-MS 等手段已遇能力瓶颈。此外，量产产线对于高通量、自动化、近实时检测的需求持续升级，相关能力已经成为先进产线工艺管控的刚性需求。多重挑战叠加之下，传统检测方法已难以兼顾超低检出限、空间分辨率、多种衬底材料兼容性及检测效率，半导体行业亟需新的技术解决方案破局。

 

 

 

凯来硬核技术 “破圈”切入半导体行业

在此背景下，凯来仪器的半导体晶圆污染分析系统依托原创的点阵飞秒激光剥蚀技术与自研分析方法，针对晶圆表面/深层/特定区域的痕量金属污染检测、金属杂质空间分布等场景，构建了更高效、更精准的检测能力。相较于传统VPD-ICP-MS、GD-MS、SIMS、TXRF等技术路径，该系统在分析效率、空间分辨率、样品适用兼容性等方面具备差异化优势，能够为先进制程研发、晶圆生产质控和工艺流程优化提供重要数据支撑。

 

 

首个头部晶圆企业订单的签订，是凯来半导体事业部有序发展的重要里程碑。印证了凯来仪器的技术能力正在从实验室研究走向真实产业场景，也意味着凯来仪器全自研生产制造的高端国产半导体检测设备在晶圆污染分析领域迈出了扎实的一步。

 

为什么选择凯来半导体晶圆污染分析系统？

——依托凯来原创的点阵飞秒激光剥蚀系统技术与自研分析方法

✔ 兼具代表性和空间分辨率——晶圆整体分析大部分金属污染元素检出限为10⁷ ~ 10⁸atoms/cm² 量级，体杂质浓度检出限为10¹¹ ~ 10¹² atoms/cm³；

✔ 出色的深度分析能力——可分析至深度500微米以上；

✔ 多元化的材料兼容性——硅基晶圆、SiC、GaN、InP、金刚石、石英、石墨；

✔ 高通量&长期稳定性&极低运行成本；

✔ 凯来卓越技术团队——专业务实，快速响应，定向合作方法开发；

 

对于半导体行业，污染检测是一项长期而艰巨的任务。越是先进的制程，越离不开稳定、可靠、可重复的自主分析手段，以此筑牢芯片良率底线，保障研发迭代与量产效率。半导体材料多维度杂质表征与检测，长期以来是国内先进制程链条当中最薄弱的环节之一，关键检测技术存在 “卡脖子” 风险。凯来仪器将坚持技术自主研发，立足国产自有仪器分析平台，与产业链上下游客户协同攻坚制程当中的 “卡脖子” 检测难题。

 

本次头部晶圆企业首单落地，是凯来仪器国产自主半导体材料污染检测关键技术落地半导体赛道的全新起点，标志着凯来仪器自主研发的半导体晶圆污染分析系统已迈出产业化的关键一步。未来，凯来仪器将持续迭代升级产品设备性能、优化配套分析方法，为中国半导体产业链关键检测装备及技术自主可控贡献一份力量。任重道远，砥砺前行。

 

⏰ 限时福利

如您希望进一步了解半导体晶圆污染分析系统或体验技术，欢迎联系上海凯来仪器有限公司送样测试，限时首样免费体验。

 

免费测样范围

晶圆类：硅基晶圆、SiC、GaN、InP等表面/体相金属污染分析

高纯材料：高纯石英、高纯石墨、高纯金属靶材等杂质分析

复合材料：陶瓷基板、封装材料、电池正负极极片等元素分析

失效样品：缺陷分析、夹杂物分析、镀层深度剖面分析、元素溯源

 

您将获得

专业工程师一对一技术对接

定制化检测方案建议

免费方法开发服务（视样品）

完整的检测报告

 

关于我们

上海凯来仪器有限公司总部坐落于上海临港新片区海洋科技创业园，专注高端分析仪器的自主研发与智能制造，依托核心的点阵飞秒激光剥蚀技术，提供全系列精密检测整体解决方案，全面服务半导体高端制造、前沿科研、精准医疗诊断等关键领域。

 

 总部：上海市浦东新区海基六路218弄36号楼
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